Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Fraunhofer IAF

GaN-auf-Si-Halbbrücke für 600 V in Platine integriert

Forscher des Fraunhofer IAF haben ihre monolithisch integrierten GaN-Power-ICs mittels Leiterplatten-Embedding als Halbbrückenschaltung inklusive Anschlüsse für Gate-Treiber- und Zwischenkreiskondensatoren integriert. Diese lässt sich modular für viele leistungselektronische Schaltungen einsetzen.

IGBT-Module in rauen Umgebungen

Bis zu 20 Jahre Lebensdauer durch erweiterten H2S-Schutz

In rauen Umgebungen muss Leistungselektronik robust sein, einen großen Einfluss auf die...

SiC-MOSFET-Halbleiter

40 % weniger Einschaltwiderstand für Elektrofahrzeuge

SiC-MOSFETS in Elektroautos verprechen hohe Wirkungsgrade, weniger Verluste und am Ende...

Ansteuerung von LEDs

Moderne Beleuchtungslösungen für Automobilanwendungen

Bei Scheinwerfern und Rückleuchten kommen vermehrt Produkte zur automatischen...

Silizium-, SiGe- und GaN-Komponenten

Konsequenter Portfolio-Ausbau

650-V-GaN-FETs, SiGe-Gleichrichter und ein weiterer Ausbau des AEC-Q101-qualifizierten...

Corona und Leistungshalbleiter

Abgesackt auf das Umsatzniveau von 2016

Als Folge der gegen die Corona-Pandemie getroffenen Maßnahmen rechnen die Analysten von...

Fünfjahresvertrag abgeschlossen

GTAT beliefert ON Semiconductor mit SiC-Rohmaterial

Einen 50 Mio. US-Dollar schweren Liefervertrag über das Siliziumkarbid-Material CrystX...

Markt&Technik-Leserwahl

Die Hall of Fame der »Manager des Jahres«

Wer von den Markt&Technik-Lesern drei Mal zum »Manager des Jahres« gewählt wurde,...

Digitale PCIM Awards 2020

Sieger untersucht Hochvolt-SiC-Packaging bei 200°

Die Gewinner des Best Paper Award und des Young Engineer Award stehen fest. Die...

Fertigung von Leistungshalbleitern

Mitsubishi Electric erwirbt Standort von Sharp

Um der steigender Nachfrage nach Leistungshalbleitern nachzukommen, hat Mitsubishi...